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「半導體產(chǎn)品推廣思路」半導體產(chǎn)品推廣思路圖

時間:2023-11-16 信途科技SEO資訊

本篇文章信途科技給大家談談半導體產(chǎn)品推廣思路,以及半導體產(chǎn)品推廣思路圖對應的知識點,希望對各位有所幫助,不要忘了收藏本站。

本文導讀目錄:

半導體制造業(yè)該如何引進六西格瑪?怎么運用?請具體回答謝謝~

一、六西格瑪管理的DMAIC流程

對產(chǎn)品缺陷的改進項目,對DMAIC過程改進模式的每一步都進行了具體深入的研究和說明。通過實例充分地驗證了DMAIC在實踐應用中的可行性和有效性,從而樹立起六西格瑪管理在制程控制和改進中的威信,同時也為今后的制程改進項目提供了寶貴經(jīng)驗,使六西格瑪管理方法能夠被更廣泛地推廣到其他制造領域中去。

二、DMAIC對超微間距產(chǎn)品第一焊點不良率改進的應用

1、界定階段

隨著芯片電路的集成度越來越高,對于半導體封裝而言,以前一顆芯片內(nèi)部只需要焊接十幾條線,而現(xiàn)在需要焊接幾百條線在同一體積的芯片內(nèi),這就意味著單顆焊線面積和焊點間距越來越小,從傳統(tǒng)間距80微米的產(chǎn)品到微間距69微米的產(chǎn)品再到如今超微間距47微米的產(chǎn)品。然而任何一顆金線的焊接不良,都將導致整顆芯片的報廢。在這種情況下,對于超微間距的產(chǎn)品,第一點焊接質(zhì)量的要求也就更加有挑戰(zhàn)性在解決問題之前,按照DMAIC的流程,首先需要組建一支專業(yè)的團隊來實施改進項目。

2、測量階段

首先對測量系統(tǒng)的穩(wěn)定性進行了分析接下來繼續(xù)對測量系統(tǒng)的線性和偏倚進行測量,方法與穩(wěn)定性測量類似。分析結果:偏倚的P值為0.301,即無法拒絕偏倚為0的原假設,測量系統(tǒng)無需修正。

最后對測量系統(tǒng)的重復性和再現(xiàn)性進行了測量分析,分析結果:系統(tǒng)Gage R R值為1.13%,遠小于10% ,分組數(shù)NDC為124,遠大于5,總體來判斷此測量系統(tǒng)是完全符合要求的。

3、分析階段

①第一焊點不良數(shù)據(jù)及潛在原因分析經(jīng)過對測量系統(tǒng)的穩(wěn)定性、線性和偏倚以及重復性和再現(xiàn)性的分析,可知測量系統(tǒng)可用,數(shù)據(jù)真實可靠。

②焊接強度不足的原因分析。利用因果圖對第一焊點強度不足的原因進行分析,結合改進方向的可行性,最終決定將“焊針尺寸不合理”和“焊線參數(shù)不優(yōu)化”兩項作為將來改進的主要方向。

4、改進階段

①焊針尺寸的改進

在分析階段確定了此次缺陷改進的重點之后,首先進行了對焊針的尺寸的改進,并通過方差分析進行對比,合理選擇了焊針尺寸。

②焊針參數(shù)的改進

為了能夠更加全面地評估所有關鍵參數(shù)因子,小組設計了一個部分因子實驗設計,用于篩選對第一焊點有重要影響的參數(shù),共列出了4個對于第一焊點質(zhì)量較為相關的因子:USG(超聲波),F(xiàn)orce(力),C/V(下降速度),Time(焊線時間),將每組試驗取32個BallShear(焊線強度)的均值作為響應變量。每個因子取二水平,并且安排3組中心點用來評估試驗誤差。

5、控制階段

焊針尺寸和參數(shù)方面的改進之后,經(jīng)過收集數(shù)據(jù)階段,控制線也進行了更新。

使用DMAIC的分析方法對半導體制造業(yè)中的超微間距產(chǎn)品系列第一焊點不良問題進行深入的研究,逐一地找出問題的根源之所在,并針對問題的根源進行改進和控制。這進一步證實了六西格瑪管理的有效性和權威性,對于那些剛剛起步或?qū)⒁鞲瘳敼芾淼钠髽I(yè)來說,六西格瑪管理無疑將會成為企業(yè)變革的助推器。當然,六西格瑪?shù)陌l(fā)展需要企業(yè)領導的大力支持,需要各部門的相互合作,需要團隊的力量,需要專業(yè)的人才,需要企業(yè)每一個人的努力。當六西格瑪融入企業(yè)文化中的時候,企業(yè)將迎來質(zhì)的提高。

當下中國半導體行業(yè)破局重在什么

當下中國半導體行業(yè)破局重在以下幾點

首先,將價值驅(qū)動作為企業(yè)的核心追求,即價值創(chuàng)造和投資回報。以IC設計為例,國內(nèi)目前有大大小小2000家IC設計公司,芯片開發(fā)周期長,投資大,風險高。如何能贏得時間的賽跑,打造差異化的產(chǎn)品和高效的運營管理體系就成為關鍵。另一方面,包括下游制造的一些大廠在嘗試構建生態(tài)圈、兼并收購、國際化,這些戰(zhàn)略舉措也需要更加精準的落地,以實現(xiàn)預期收益。

其次是創(chuàng)新為先,自從信息時代開始以來,半導體產(chǎn)業(yè)都是新產(chǎn)品和新技術的賦能者和載體,未來,更應該成為新技術最廣泛的使用者。隨著數(shù)字化浪潮的推動,企業(yè)領導者應當摒棄以往只重視產(chǎn)品技術,輕視技術在業(yè)務和管理上應用的固有陳念。在推動新技術(AI,ARVR,Blockchain,數(shù)字孿生等)的應用上,從嘗試迅速切換到體系化推廣的新常態(tài)。

此外,不得不提的還有體驗管理。在千人千面,個性化的時代,如何為客戶提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和品牌體驗成為企業(yè)的必修課。近年來,得益于數(shù)據(jù)和AI分析能力的支持,體驗也從一種模糊的主觀概念變得可以通過管理的手段進行提升。在各類芯片需求呈現(xiàn)個性化和碎片化的今天,管理好體驗將從終端產(chǎn)品廠商前移到上游半導體企業(yè),作為產(chǎn)品差異化競爭的一個有效的工具。另一方面,半導體行業(yè)的人才仍存在較大缺口,流動性也強,如何提升員工的體驗,加強忠誠度和凝聚力,也是企業(yè)領導者必須重視的課題。

我國半導體電子元器件行業(yè)有哪些規(guī)律?

各行各業(yè)都有自身的發(fā)展規(guī)律,對于電子元器件行業(yè)更是有規(guī)律可循,下面我們總結了行業(yè)發(fā)展的三大規(guī)律,使用這三大規(guī)模能夠方便對半導體行業(yè)景氣發(fā)展趨勢進行判斷。

規(guī)律一:新舊產(chǎn)品替換推動行業(yè)盛衰更替?!皻⑹旨壆a(chǎn)品”推廣進程成為推動行業(yè)進入全新繁榮的最核心動力。

規(guī)律二:庫存反映了業(yè)者對終端市場的信心,成為導致行業(yè)高波動性的最核心原因。

規(guī)律三:半導體技術發(fā)展路徑為:創(chuàng)新。精細化分工。技術集成。衰退,這路徑直接反映了半導體技術壁壘由強到弱的過程以及技術壽命所處的時機。

這三大規(guī)律成為我們判斷行業(yè)發(fā)展方向的邏輯立足點。也是我們今年準確預測行業(yè)發(fā)展方向的主要原因。

我們在今年年初向投資者闡述由于“庫存回補”將導致半導體行業(yè)出現(xiàn)景氣反彈的判斷,這就是根據(jù)規(guī)律二思考而得。

而我們堅定認為10年三季度后半導體不可能出現(xiàn)V型反轉的核心根據(jù)就是來自于規(guī)律一與規(guī)律三。目前行業(yè)技術路徑位于末端,同時沒有創(chuàng)新性產(chǎn)品出現(xiàn),行業(yè)反轉勢必難成“V型”。

事實上,根據(jù)這三大規(guī)律,我們不難用三大指標來綜合判斷行業(yè)的發(fā)展趨勢。這些指標分別為:1、殺手級產(chǎn)品。2、行業(yè)庫存數(shù)據(jù)。3、技術路線。

對行業(yè)行業(yè)大趨勢,我們建議直接跟蹤殺手級產(chǎn)品的發(fā)展趨勢,這些產(chǎn)品的滲透情況也直接表征了行業(yè)所處階段。而這個階段判斷也可以從技術路線來驗證。

而在短期趨勢判斷可以根據(jù)庫存來分析。要記住庫存趨勢反映了業(yè)者對終端消費的判斷,這個指標具有一定的超前性。

因此,我們對半導體元器件行業(yè)景氣判斷依然是:“2010年上半年行業(yè)景氣依然溫和向上,下半年有望出現(xiàn)加速復蘇現(xiàn)象”。殺手級產(chǎn)品2010年下半年密集推出成為推動行業(yè)加速的主要因素(注:資料來源于網(wǎng)絡)

半導體的現(xiàn)狀及其發(fā)展趨勢

中國計算50年

——中國數(shù)字電子計算機的創(chuàng)業(yè)歷程及領路人

(2006-09-11 16:18:31)

■ 中國科學院院士、北京科技大學教授 高慶獅

編者按: 一轉眼,中國的計算機事業(yè)已經(jīng)走過了50個春秋。在《計算機世界》紀念中國計算機事業(yè)發(fā)展50年的過程中,我們看到,在這50年里,有太多激動人心的創(chuàng)舉出現(xiàn),也有太多令人黯然的無奈穿過。

幾代大師為了中國計算機事業(yè)的發(fā)展鞠躬盡瘁,更多人為了中國計算機產(chǎn)業(yè)的前行奮發(fā)圖強。為此,我們特邀中國科學院院士、北京科技大學教授、中國科學院計算技術研究所終身研究員高慶獅撰寫此文,以紀念過往、慶祝成就,同時也警醒現(xiàn)狀、激勵未來。

50年風雨之后,為了尋求ICT的融合和計算領域的更大發(fā)展,中國正在積極醞釀更好的政策環(huán)境。2006年8月29日,全國信息產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新會議在京召開。

自從1946年,世界上第一臺數(shù)字電子計算機在美國誕生,與計算機最鄰近領域的數(shù)學和物理界的共和國泰斗、世界數(shù)學大師華羅庚教授和中國原子能事業(yè)的奠基人錢三強教授,十分關注這一新技術如何在國內(nèi)發(fā)展。

中國誕生計算機

從1951年起,國內(nèi)外和計算機領域相近的其他領域人才,尤其是從國外回來的教授、工程師和博士,不斷轉入到該行業(yè)中。他們當中的很多人,都在華羅庚領導的中科院數(shù)學所和錢三強領導的中科院物理所里,其中包括國際電路網(wǎng)絡權威閔乃大教授、在美國公司有多年實踐經(jīng)驗的范新弼博士、在丹麥公司有多年實踐經(jīng)驗的吳幾康工程師,以及從英國留學回來的夏培肅博士和從美國留學回來的蔣士飛博士。

他們積極推動,把發(fā)展計算機列入12年發(fā)展規(guī)劃。

1956年3月,由閔乃大教授、胡世華教授、徐獻瑜教授、張效祥教授、吳幾康副研究員和北大的黨政人員組成代表團,參加了在莫斯科主辦的“計算技術發(fā)展道路”國際會議,到前蘇聯(lián)“取經(jīng)”,為我國制定12年規(guī)劃的計算機部分做技術準備。當時的代表團主要成員后來都參加了12年規(guī)劃。此外,范新弼、夏培肅和蔣士飛也加入規(guī)劃制定中。在隨后制定的12年規(guī)劃中,確定了中國要研制計算機,并批準中國科學院成立計算技術、半導體、電子學及自動化等四個研究所。

計算技術研究所籌備處由科學院、總參三部、國防五院(七機部)、二機部十局(四機部)四個單位聯(lián)合成立,北京大學、清華大學也相應成立了計算數(shù)學專業(yè)和計算機專業(yè)。為了迅速培養(yǎng)計算機專業(yè)人才,這三個單位聯(lián)合舉辦了第一屆計算機和第一屆計算數(shù)學訓練班。計算數(shù)學訓練班的學生有幸聽到了剛剛歸國的錢學森教授和董鐵寶教授講課。錢學森教授在當時已經(jīng)是國際控制論的權威專家,而董鐵寶教授在美國已經(jīng)有過3~4年的編程經(jīng)驗,也是當時國內(nèi)惟一真正接觸過計算機的學者。當時我也是學生之一。

錢學森的數(shù)學功底的深度和廣度幾乎涵蓋了我們所學的數(shù)學的所有課程,而且運用自如,我們作為北大數(shù)學系學生,對此感到十分欽佩。同時,錢學森教授也幫助我們具體了解到,數(shù)學如何應用到實際物理世界中。

在前蘇聯(lián)專家的幫助下,由七機部張梓昌高級工程師領導研發(fā)的中國第一臺數(shù)字電子計算機103機(定點32二進制位,每秒2500次)在中國科學院計算技術研究所誕生,并于1958年交付使用。參與研發(fā)的骨干有董占球、王行剛等年輕人。隨后,由總參張效祥教授領導的中國第一臺大型數(shù)字電子計算機104機(浮點40二進制位、每秒1萬次)在1959年也交付使用,骨干有金怡濂,蘇東莊,劉錫剛,姚錫珊,周錫令等人。其中,磁心存儲器是計算所副研究員范新弼和七機部黃玉珩高級工程師領導完成的。在104機上建立的、由仲萃豪和董韞美領導的中國第一個自行設計的編譯系統(tǒng),則在1961年試驗成功(Fortran型)。

國防是首要服務對象

在任何先進國家,計算機的發(fā)展首先都是為國防服務,應用于國家戰(zhàn)略部署上,中國也不例外。1958年,北京大學張世龍領導包括當時作為學生的王選在內(nèi)的北大師生,與中國人民解放軍空軍合作,自行設計研制了數(shù)字電子計算機“北京一號”,并交付空軍使用。當時中國人民解放軍朱德總司令還親自到北京大學北閣“北京一號”機房參觀了該機器。隨后,張世龍帶領北大師生(包括王選和許卓群在內(nèi)),立即投入北大自行設計的“紅旗”計算機研制工作,當時設定的目標比前蘇聯(lián)專家?guī)椭兄频?04機還高,并于1962年試算成功。但是由于搬遷和文革的干擾,搬遷后“紅旗”一直沒有能夠恢復和繼續(xù)工作。

與此同時,1958年,在哈爾濱軍事工程學院(國防科技大學前身)海軍系柳克俊的領導下,哈爾濱軍事工程學院和中國人民解放軍海軍合作,自行設計了“901”海軍計算機,并交付海軍使用。在海軍系康繼昌的領導下,哈爾濱軍事工程學院和中國人民解放軍空軍合作,自行設計的“東風113”空軍機載計算機也交付空軍使用。隨后,柳克俊領導的國產(chǎn)晶體管軍用的計算機,也在1961年交付海軍使用。

1958年~1962年期間,中國人民解放軍總參謀部也前后獨立研制成功了一些自行設計、全部國產(chǎn)化的計算機。

1964年,中科院計算技術研究所吳幾康、范新弼領導的自行設計119機(通用浮點44二進制位、每秒 5萬次)也交付使用,這是中國第一臺自行設計的電子管大型通用計算機,也是當時世界上最快的電子管計算機。當時美國等發(fā)達國家已經(jīng)轉入晶體管計算機領域,119機雖不能說明中國具有極高水平,但是仍然能表明,中國有能力實現(xiàn)“外國有的,中國要有;外國沒有的,中國也要有”這個偉大目標。

在119機上建立的,是董韞美領導的自行設計的編譯系統(tǒng),該系統(tǒng)在1965年交付使用(Algol型),后來移植到109丙機上繼續(xù)起作用。

哈爾濱軍事工程學院計算機系慈云桂教授領導的自行設計的晶體管計算機441B(浮點40二進制位、每秒8千次)在1964年研制成功,骨干人員包括康鵬等人。1965年,441B機改進為計算速度每秒兩萬次。

與此同時,中科院計算技術研究所蔣士飛領導的自行設計的晶體管計算機109乙機(浮點32二進制位、每秒6萬次),也在1965年交付使用。為了發(fā)展“兩彈一星”工程,1967年,由中科院計算機所蔣士飛領導,自行設計專為兩彈一星服務的計算機109丙機,并交付使用,骨干有沈亞城、梁吟藻等人。兩臺109丙機分別安裝在二機部供核彈研究用和七機部供火箭研究用。109丙機的使用時間長達15年,被譽為“功勛計算機”,是中國第一臺具有分時、中斷系統(tǒng)和管理程序的計算機,而且,中國第一個自行設計的管理程序就是在它上面建立的。

這些由中國科研人員自力更生、努力拼搏研制出的第一批計算機,代表了中國人掌握計算機的技術水平和成果,證明了中國有能力發(fā)展自己的全部國產(chǎn)化的計算機事業(yè)。

突破百萬到超越億計算

雖然我國自行設計研制了多種型號的計算機,但運算速度一直未能突破百萬次大關。1973年,北京大學(由張世龍培養(yǎng)的、包括許卓群和張興華等骨干人員)與“738廠”(包括孫強南、陳華林等骨干人員)聯(lián)合研制的集成電路計算機150(通用浮點48二進制位、每秒1百萬次)問世。這是我國擁有的第一臺自行設計的百萬次集成電路計算機,也是中國第一臺配有多道程序和自行設計操作系統(tǒng)的計算機。該操作系統(tǒng)由北京大學楊芙清教授領導研制,是國內(nèi)第一個自行設計的操作系統(tǒng)。

1973年3月,在全國實際研制目標200~500萬次不能滿足中國飛行體設計的計算流體力學需要的情形下,時任國防科委副主任的錢學森,根據(jù)飛行體設計需要,要求中科院計算所在20世紀70年代研制一億次高性能巨型機,80年代完成十億次和百億次高性能巨型機,并且指出必須考慮并行計算道路。中科院計算所根據(jù)國防情報所和計算所情報室提供的國際上的公開資料,分析了1970年前后美國研制的高性能巨型機的優(yōu)缺點之后,于1973年5月提出“全部器件國產(chǎn)化一億次高性能巨型機(20M低功耗ECL、電路-四條流水線)及其模型機(757向量計算機、10M ECL、電路-單條流水線)”的可行方案。由于文革中受到嚴重干擾,以及文革后“走馬燈”式良莠不齊的領導亂指揮,盡管在1979年,由亞城負責的20M低功耗ECL電路的集成電路芯片投片已經(jīng)研發(fā)成功,但是最終“全部器件國產(chǎn)化一億次高性能巨型機”的研發(fā),因為任務變化,最終擱淺。

表1和表2給出了代表中國掌握電子管、晶體管、集成電路計算機技術的發(fā)展時間表,水平主要是根據(jù)創(chuàng)新的“三性”中的先進性。需要說明的是,表中所列只是代表中國已掌握的計算機技術水平的計算機,其中,帶*的103、104、119、150、757,及銀河-1號巨型機和銀河-2仿真計算機等7臺計算機,都被載入“記述對中華文明發(fā)展起促進作用的重要歷史事件”的中華世紀壇青銅甬道銘文中。

除了研制水平之外,產(chǎn)業(yè)、市場和應用的發(fā)展也同樣重要。在批量生產(chǎn)計算機上,電子工業(yè)部及其相關研究所(例如著名的15所)和工廠(例如著名的738廠)功不可沒。不僅上述中國早期計算機的研制和批量生產(chǎn)要依靠它們,而且它們也獨立設計和研制過一些成批生產(chǎn)的計算機(例如108系列、與清華大學合作的DJS-130等),尤其在人造衛(wèi)星地面系統(tǒng)(例如320計算機及艦上718計算機)及其他軍工任務上,這些研究所和工廠都有過突出貢獻。研究所和工廠研究工作的重點,主要是在技術和工藝方面。他們的領軍人包括莫根生、陳立偉、曹啟章及一批骨干人員,例如江學國等?,F(xiàn)任中國工程院院士羅沛霖領導的仿IBM系列也起過歷史性作用,沈緒榜和李三立負責的有關衛(wèi)星天上和地上計算機及其他任務用的計算機也做出了重要的貢獻。此外,七機部、清華大學及中科院各分院在發(fā)展計算技術方面還做出了許多貢獻,這里就不枚舉了。

中國自力更生全部國產(chǎn)化的半導體、集成電路計算機事業(yè),和20世紀50~70年代林蘭英、王守武、王守覺和徐元森等教授領導的中科院半導體所、上海冶金所和109廠的研究及開發(fā)工作是分不開的。中科院半導體所和109廠都是從中國科學院物理所獨立出來的,中科院物理所對中國計算機事業(yè)的歷史貢獻功不可沒。

人才培養(yǎng)至關重要

發(fā)展計算機事業(yè)離不開人才培養(yǎng),20世紀50~70年代,中科院計算技術研究所(及之后的中國科技大學)的夏培肅副研究員、北京大學和哈爾濱軍事工程學院,在組織教師和學生動手研制計算機、進行實踐、培養(yǎng)人才等方面,都取得了很好的成績。夏培肅領導組織教師和學生動手研制了107(定點32二進制位、每秒 250次)計算機,該計算機于1960年交付使用,并且還復制了兩臺。盡管107計算機比103(1958年交付使用)、104計算機(1959年交付使用)速度低了10倍到40倍,但是對培養(yǎng)人才起了重要作用。

一個計算機系統(tǒng)是由多方面研究成果構成的。范新弼領導的磁心存儲器長期處于領先地位,其中主要的骨干有伍福寧、王振山、徐正春、張杰、甘鴻,等等。王克本領導了中國第一個八層印刷電路版研究與設計小組。方光旦在磁頭、磁膠,張品賢在磁帶,顧爾旺在磁鼓等方面,都做出了出色的貢獻。實際上,大多計算機的研發(fā)都是集體成果,例如全國參加757計算機研發(fā)工作的人員,就有上千人。

我國第一個“計算機系統(tǒng)結構設計”小組于1957年在中科院計算所成立。20世紀50~70年代,它承擔了中科院計算所代表性的計算機(119、109乙、109丙、757、717等計算機)的系統(tǒng)結構設計任務。參與成員則根據(jù)當時前蘇聯(lián)計算機領軍人物、前蘇聯(lián)科學院列貝捷夫院士的建議,由年輕的數(shù)學專業(yè)畢業(yè)生組成。第一任小組負責人是國際網(wǎng)絡權威人士閔乃大教授,第一個正式設計任務則是1958年5月國防部門的“導彈防御系統(tǒng)計算機”系統(tǒng)結構設計。設計工作由北京大學張世龍和第二任小組負責人虞承宣,加上6名數(shù)學專業(yè)畢業(yè)的大學生組成,其中周巢塵、沈緒榜等3人后來分別由不同領域(軟件、航天、系統(tǒng)結構)、不同單位被選為中科院院士。

中國20世紀60年代編譯系統(tǒng)的帶頭人在當時都是年輕人,如中國人民解放軍總參謀部楊奇、中科院計算所董韞美和仲萃豪、南京大學徐家福、國防科技大學陳火旺等。中國20世紀60年代操作系統(tǒng)的帶頭人有北京大學楊芙清、南京大學大孫仲秀等,當時也都是年輕人。軟件正確性設計(容易推廣到硬件的正確性設計)是近20多年國際上關注的具有巨大經(jīng)濟效益、社會效益和理論價值的重大問題。我國領軍人物何積豐院士、周巢塵院士如今已經(jīng)是國際上知名的佼佼者。20世紀70年代,逐漸形成容錯和檢測理論和實踐的帶頭人是魏道政,而知識處理的帶頭人是陸汝鈐。

依賴進口弊端過大

20世紀70年代后期以后,中國研制的計算機,幾乎全部使用進口元器件、進口部件。

由于超大規(guī)模集成電路迅速發(fā)展,數(shù)千萬甚至上億個晶體管逐漸能夠集成在一個芯片上,20世紀80年代及其之后得到迅速發(fā)展的計算機,是普通個人使用的“微機”(PC機)及超強“微機”(后者可以組成服務器或者并行處理的高性能計算機),而其他各式各樣的計算機(包括超級中小型計算機在內(nèi))由于性價比問題,無法和微機競爭,就自然逐步退出舞臺了。國際上沒有及時調(diào)整戰(zhàn)略的計算機公司,例如CDC公司、王安公司等,紛紛倒閉。雖然如此,國內(nèi)那一段過渡時期為了滿足用戶需求而研制的各種機型也曾有過較大貢獻,例如張修領導的KJ8920,在為用戶提供優(yōu)質(zhì)服務軟件方面就很突出。

中國最早意識到個人計算機發(fā)展趨勢而率先轉向研究“微機”,并且做出突出貢獻的帶頭人有倪光南、韓承德等。

國內(nèi)高性能計算機,有慈云桂、盧錫城、周興銘、楊學軍領導的銀河系列;張效祥、金怡濂、陳左寧領導的神州系列;李國杰、孫凝暉領導的曙光系列;祝明發(fā)領導的聯(lián)想深騰系列;以及周興銘領導的銀河-2數(shù)字仿真巨型機等。PC機有聯(lián)想系列、長城系列、方正系列、同方系列等,其學術代表性帶頭人是倪光南,產(chǎn)業(yè)代表性的領軍人是柳傳志。

計算機產(chǎn)業(yè)作為一個產(chǎn)業(yè)鏈,軟件發(fā)展依賴于整機和應用需求的發(fā)展;整機的發(fā)展依賴于芯片、部件及需求的發(fā)展;芯片的發(fā)展則依賴于“集成電路生產(chǎn)線大三角形”的發(fā)展。這里集成電路生產(chǎn)線大三角形是指集成電路生產(chǎn)線的三大部分,即大底座、中間層和頂層。大底座(價值十多億美元的集成電路制造工藝生產(chǎn)線)是從拉單晶硅到光刻-擴散-參雜,到最后封裝,相當于過去林蘭英、王守武、王守覺和徐元森等領導中科院半導體所、上海冶金所的研究工作。中間層是各種高速低功耗電路設計,相當于過去中科院計算所電路設計組蔣士飛、沈亞城等人的研究工作。20世紀70年代,沈亞城所進行的高速低功耗ECL電路設計,直到做成芯片,才可以算做完成。頂層則是硅編譯等等軟件工作,這部分工作過去是計算所使用小規(guī)模集成電路時把邏輯設計圖變成為工程布線圖的手工工作,加上半導體所制造小規(guī)模集成電路各種掩模版所需的手工工作。在超大規(guī)模集成電路的情況下,從復雜性、可靠性角度,手工是絕對不可能完成的,需要依靠硅編譯來自動完成。

在允許部分進口的環(huán)境下,一個產(chǎn)業(yè)鏈如果要求全部國產(chǎn)化,會造成一環(huán)落后引發(fā)產(chǎn)業(yè)鏈后續(xù)部分全部落后的情況;使用進口元器件、進口部件,使得各種類型整機可以在國際先進基礎上得到發(fā)展,進而軟件和應用都能在國際先進基礎上得到發(fā)展,從市場經(jīng)濟角度看,這無疑是正確的。

但是,當國內(nèi)所研制的計算機全部轉向使用進口元器件、進口部件時,一方面中國的高性能計算和PC機的發(fā)展依賴于進口元器件和進口部件的水平;另一方面中國的集成電路研制力量,由于缺少巨大的經(jīng)濟支持,都轉向非計算機用的其他難度小的方向。

“元器件全部進口化”導致的結果是,不僅全部國產(chǎn)化的億次高性能巨型機研制中止,而且真正完全自主的國產(chǎn)的計算機集成電路研制工作也中斷,至今也沒有恢復,甚至沒有任何恢復的跡象,這兩方面對國家安全都很不利。實際上,“集成電路生產(chǎn)線大三角形”依靠進口的集成電路生產(chǎn)線,就等于依賴外國集成電路生產(chǎn)線水平和外國政府批準向中國出口的集成電路生產(chǎn)線的水平。引進無法達到最先進,而且在特殊情況下,引進很可能中斷,引進的生產(chǎn)線的備份件也不能得到更新。

“中國芯”何時真正崛起

進入21世紀以后,李德磊負責的“方舟”、胡偉武負責的“龍芯”、以及王沁參加負責的“多思”、方信我負責的“國安”等等“中國芯”項目不斷涌現(xiàn),計算機產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化又前進了一大步。但當前或者未來將出現(xiàn)的眾多的“中國芯”的共同點,都是“集成電路生產(chǎn)線大三角形”的一個應用。也就是說,其水平仍然是依賴于外國集成電路生產(chǎn)線水平和外國政府批準向中國出口的集成電路生產(chǎn)線的水平,仍然受制于人。

眾多“中國芯”的主要的差別只是在系統(tǒng)結構設計上,或者在高速低功耗電路等設計上,有沒有重大創(chuàng)新、重大突破。設計明顯創(chuàng)新的,有國外學者稱之為相當于“大學生課程設計”水平,雖然難聽卻也有幾分道理。盡管能設計“中國芯”的人或公司越來越多,但是能設計“中國集成電路生產(chǎn)線大三角形”的人,如果不采取措施,不僅目前沒有,恐怕不遠的將來仍然是空白。如果中國不能制造中國的“集成電路生產(chǎn)線大三角形”,那么無論有多少種“中國芯”,中國的高性能計算機和中國PC機的發(fā)展水平就必然還是取決于美國“集成電路生產(chǎn)線大三角形”的發(fā)展水平及美國政府允許向中國出口的水平。

現(xiàn)實的道路是,我們可以通過引進、消化、吸收與獨立研究相結合的方式發(fā)展芯片產(chǎn)業(yè),而建立完全自主的“集成電路生產(chǎn)線大三角”,則應該是國家急需解決的重中之重。

早在1965年,中科院半導體所王守覺就開始研制從邏輯圖到掩模版的自動形成系統(tǒng)“圖形發(fā)生器”,這項研究比美國還早。由于文革破壞而中斷了3年,1971年初研制成功時,反而比美國晚了一年多。以上歷史說明,中國人的獨立研究能力也不容忽視,研究環(huán)境也不容被忽視。

如何做到既能使產(chǎn)業(yè)鏈的各個環(huán)節(jié)的發(fā)展都能建立在國際最高水平之上,又能確保國家安全?這不僅僅是一個計算機產(chǎn)業(yè)鏈的問題,應該是許多產(chǎn)業(yè)鏈所存在的共同問題,更是決策者急需處理的政策問題。

中國半個世紀電子數(shù)字計算機事業(yè)的領路人,是在兩位共和國功勛科學家華羅庚和錢三強關注下的一個群體,這個群體在50年前,是10多名從相鄰領域轉過來的30~40多歲的中青年帶頭人,和五、六十名受過專業(yè)教育的20多歲的青年骨干,還有數(shù)十名當時尚未出世的后起之秀,本文列舉的,只是這個百人群體中的一小部分。

鏈接:文中部分科學家簡歷

華羅庚:江蘇金壇人。中國解析數(shù)論、典型群、矩陣幾何學、自守函數(shù)論與多復變函數(shù)論等很多方面研究的創(chuàng)始人與開拓者,國際知名數(shù)學家,先后當選美國科學院外籍院士,第三世界科學院院士,法國南錫大學、美國伊利諾大學、香港中文大學榮譽博士,聯(lián)邦德國巴伐利亞科學院院士等。

錢三強:浙江湖州人,出生于浙江紹興。核物理專家、中國核原子科學之父,曾師從居里的女兒、諾貝爾獎獲得者伊萊娜?居里及其丈夫約里奧?居里。在中國研發(fā)原子彈期間,擔任技術總負責人、總設計師,被追授“兩彈一星功勛獎章”。

范新弼:電子計算機專家,湖南長沙人。1951年獲美國斯坦福大學電子學博士學位,在電子器件研究與應用領域獲8項美國專利。歸國后,領導我國第一臺大型計算機及其后多臺大型計算機的磁芯存儲器研制工作,領導中國半導體存儲元件研究,建立了國內(nèi)第一批測試設備。

張效祥:計算機專家、中國科學院院士(學部委員)、中國解放軍總參謀部計算技術研究所研究員。領導中國第一臺大型通用電子計算機的仿制并在此后的35年中主持中國自行設計的電子管、晶體管到大規(guī)模集成電路各代大型計算機的研制,為中國計算機事業(yè)的創(chuàng)建、開拓和發(fā)展,起了重要作用。1985年,領導完成中國第一臺億次巨型并行計算機系統(tǒng)。

錢學森:中國現(xiàn)代物理學家、世界著名火箭專家、全國政協(xié)副主席,浙江杭州市人,生于上海。錢學森曾在美國任講師、副教授、教授以及超音速實驗室主任和古根罕噴氣推進研究中心主任。1950年開始,歷經(jīng)5年努力,于1955年才回到祖國,1958年起長期擔任火箭導彈和航天器研制的技術領導職務。

董鐵寶:力學家、計算數(shù)學家,江蘇武進人,“中國第一個程序員”(王選),長期致力于結構力學、斷裂力學、材料力學性能、計算數(shù)學的研究和教學,我國計算機研制和斷裂力學研究的先驅(qū)者之一。1945年赴美學習,1956年歸國教學,1968年在文革中因受迫害自殺。

金怡濂:中國工程院院士、著名高性能計算機專家、國家最高科學技術獎獲得者,原籍江蘇常州。中國第一臺大型計算機研制者之一,先后提出多種類型、各個時期居國內(nèi)領先或國際先進水平的大型、巨型計算機系統(tǒng)的設計思想和技術方案,為我國高性能計算機技術的跨越式發(fā)展和趕超世界計算機先進水平有著重要貢獻。

王選:江蘇無錫人。著名的計算機應用專家,主要致力于文字、圖形、圖象的計算機處理研究。中國科學院院士、中國工程院院士、第三世界科學院院士、國家最高科學技術獎獲得者。曾任北大方正集團董事、方正控股有限公司首席科技顧問,九三學社副主席、中國科協(xié)副主席、九三學社副主席、中國科協(xié)副主席。2003年當選十屆全國政協(xié)副主席。

周巢塵:計算機軟件專家,原籍江蘇南匯,中國科學院院士(學部委員)、第三世界科學院院士、中國科學院軟件研究所研究員,曾任聯(lián)合國大學國際軟件技術研究所所長。

楊芙清:北京大學計算機學科第一位教授、博士生導師,中國科學院院士(學部委員)、計算機科學技術及軟件專家,無錫人。歷任軟件工程國家工程研究中心主任、北京大學信息與工程科學學部主任、北京大學軟件工程研究所所長、北京大學計算機科技系教授。

孫仲秀:計算機科學家、中國科學院院士,原籍浙江余杭,生于江蘇省南京市,歷任南京大學助教、講師、副教授、教授、博士生導師、副校長等職。1974年后主持研制了中國國產(chǎn)系列計算機DJS200系列的DJS200/XT1和 DJS200/XT1P等操作系統(tǒng)。從1979年起開始對分布式計算機系統(tǒng)軟件和應用進行了研究,1982年在國內(nèi)首次研制成功ZCZ分布式微型計算機系統(tǒng),研究和開發(fā)了多個實用的分布式計算機系統(tǒng)。

何積豐:中國科學院院士、計算機軟件專家,生于上海,祖籍浙江寧波。現(xiàn)任華東師范大學終身教授、軟件學院院長,上海嵌入式系統(tǒng)研究所所長、聯(lián)合國大學國際軟件技術研究所高級研究員。早年進行管理信息系統(tǒng)和辦公自動化系統(tǒng)的研發(fā)。

吳幾康:安徽歙縣人。計算機專家、中國計算機事業(yè)的開拓者之一。曾于1951年至1953年在丹麥任無線電廠開發(fā)工程師,歸國后調(diào)至中國科學院近代物理研究所,后參與籌建計算技術研究所。1965年負責研制成功兩臺大型通用計算機,后參與籌建771微電子學研究所,任副所長和研究員。

張梓昌:電子計算機專家。江蘇崇明(今屬上海市)人。歷任航天工業(yè)部第二研究院所長、測控公司總工程師,中國計算機學會第一屆副理事長,中國宇航學會第一、二屆理事。長期從事電子設備和計算機的研制,曾負責我國第一臺計算機的技術工作,是我國計算機技術的學科帶頭人之一。

張世龍:北京大學計算機科學與技術系主任、教授,曾參加我國第一臺自行設計制造的大型計算機119機和北大紅旗計算機的系統(tǒng)設計。

慈云桂:著名計算機科學家、教授,中國科學院技術科學部學部委員,安徽桐城人。歷任國防科技大學副校長兼電子計算機系主任和計算機研究所所長等職,先后主持了我國多種型號計算機的研制,從領導研制我國第一臺電子管數(shù)字計算專用機,到擔任“銀河”億次計算機研制的技術總指揮和總設計師,為國家經(jīng)濟建設、國防建設及科學研究事業(yè)做出了突出貢獻。

馮康:應用數(shù)學和計算數(shù)學家、中國科學院院士、世界數(shù)學史上具有重要地位的科學家。生于江蘇南京,原籍浙江紹興。其獨立創(chuàng)造了有限元方法、自然歸化和自然邊界元方法,開辟了辛幾何和辛格式研究新領域。中國現(xiàn)代計算數(shù)學研究的開拓者。1997年底國家自然科學一等獎授予馮康的另一項工作“哈密爾頓系統(tǒng)辛幾何算法”。歷任中國科學院計算技術研究所任副研究員、研究員,中國科學院計算中心主任、名譽主任。(排名不分先后)

(計算機世界報)

參考資料:http://xintu.cnii.com.cn/20060808/ca371826.htm

半導體的發(fā)展史及其未來發(fā)展趨勢

1833年,英國巴拉迪最先發(fā)現(xiàn)硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同于一般金屬,一般情況下,金屬的電阻隨溫度升高而增加,但巴拉迪發(fā)現(xiàn)硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導體現(xiàn)象的首次發(fā)現(xiàn)。

不久, 1839年法國的貝克萊爾發(fā)現(xiàn)半導體和電解質(zhì)接觸形成的結,在光照下會產(chǎn)生一個電壓,這就是后來人們熟知的光生伏特效應,這是被發(fā)現(xiàn)的半導體的第二個特征。

在1874年,德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導與所加電場的方向有關,即它的導電有方向性,在它兩端加一個正向電壓,它是導通的;如果把電壓極性反過來,它就不導電,這就是半導體的整流效應,也是半導體所特有的第三種特性。同年,舒斯特又發(fā)現(xiàn)了銅與氧化銅的整流效應。

1873年,英國的史密斯發(fā)現(xiàn)硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應,這是半導體又一個特有的性質(zhì)。 半導體的這四個效應,(jianxia霍爾效應的余績——四個伴生效應的發(fā)現(xiàn))雖在1880年以前就先后被發(fā)現(xiàn)了,但半導體這個名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。而總結出半導體的這四個特性一直到1947年12月才由貝爾實驗室完成。

很多人會疑問,為什么半導體被認可需要這么多年呢?主要原因是當時的材料不純。沒有好的材料,很多與材料相關的問題就難以說清楚。

半導體于室溫時電導率約在10ˉ10~10000/Ω·cm之間,純凈的半導體溫度升高時電導率按指數(shù)上升。半導體材料有很多種,按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。除上述晶態(tài)半導體外,還有非晶態(tài)的有機物半導體等和本征半導體。

1982年,江蘇無錫的江南無線電器材廠(742廠)IC生產(chǎn)線建成驗收投產(chǎn),這是一條從日本東芝公司全面引進彩色和黑白電視機集成電路生產(chǎn)線,不僅擁有部封裝,而且有3英寸全新工藝設備的芯片制造線,不但引進了設備和凈化廠房及動力設備等“硬件”,而且還引進了制造工藝技術“軟件”。這是中國第一次從國外引進集成電路技術。第一期742廠共投資2.7億元(6600萬美元),建設目標是月投10000片3英寸硅片的生產(chǎn)能力,年產(chǎn)2648萬塊IC成品,產(chǎn)品為雙極型消費類線性電路,包括電視機電路和音響電路。到1984年達產(chǎn),產(chǎn)量達到3000萬塊,成為中國技術先進、規(guī)模最大,具有工業(yè)化大生產(chǎn)的專業(yè)化工廠。 1982年10月,國務院為了加強全國計算機和大規(guī)模集成電路的領導,成立了以萬里副總理為組長的“電子計算機和大規(guī)模集成電路領導小組”,制定了中國IC發(fā)展規(guī)劃,提出“六五”期間要對半導體工業(yè)進行技術改造。 1983年,針對當時多頭引進,重復布點的情況,國務院大規(guī)模集成電路領導小組提出“治散治亂”,集成電路要“建立南北兩個基地和一個點”的發(fā)展戰(zhàn)略,南方基地主要指上海、江蘇和浙江,北方基地主要指北京、天津和沈陽,一個點指西安,主要為航天配套。

1986年,電子部廈門集成電路發(fā)展戰(zhàn)略研討會,提出“七五”期間我國集成電路技術“531”發(fā)展戰(zhàn)略,即普及推廣5微米技術,開發(fā)3微米技術,進行1微米技術科技攻關。 1988年,871廠紹興分廠,改名為華越微電子有限公司。 1988年9月,上無十四廠在技術引進項目,建了新廠房的基礎上,成立了中外合資公司――上海貝嶺微電子制造有限公司。 1988年,在上海元件五廠、上無七廠和上無十九廠聯(lián)合搞技術引進項目的基礎上,組建成中外合資公司――上海飛利浦半導體公司(現(xiàn)在的上海先進)。 1989年2月,機電部在無錫召開“八五”集成電路發(fā)展戰(zhàn)略研討會,提出了“加快基地建設,形成規(guī)模生產(chǎn),注重發(fā)展專用電路,加強科研和支持條件,振興集成電路產(chǎn)業(yè)”的發(fā)展戰(zhàn)略。 1989年8月8日,742廠和永川半導體研究所無錫分所合并成立了中國華晶電子集團公司。

1990年10月,國家計委和機電部在北京聯(lián)合召開了有關領導和專家參加的座談會,并向黨中央進行了匯報,決定實施九O八工程。 1991年,首都鋼鐵公司和日本NEC公司成立中外合資公司――首鋼NEC電子有限公司。 1995年,電子部提出“九五”集成電路發(fā)展戰(zhàn)略:以市場為導向,以CAD為突破口,產(chǎn)學研用相結合,以我為主,開展國際合作,強化投資,加強重點工程和技術創(chuàng)新能力的建設,促進集成電路產(chǎn)業(yè)進入良性循環(huán)。 1995年10月,電子部和國家外專局在北京聯(lián)合召開國內(nèi)外專家座談會,獻計獻策,加速我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。11月,電子部向國務院做了專題匯報,確定實施九0九工程。 1997年7月17日,由上海華虹集團與日本NEC公司合資組建的上海華虹NEC電子有限公司組建,總投資為12億美元,注冊資金7億美元,華虹NEC主要承擔“九0九”工程超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線項目建設。 1998年1月,華晶與上華合作生產(chǎn)MOS圓片合約簽定,有效期四年,華晶芯片生產(chǎn)線開始承接上華公司來料加工業(yè)務。 1998年1月18日,“九0八” 主體工程華晶項目通過對外合同驗收,這條從朗訊科技公司引進的0.9微米的生產(chǎn)線已經(jīng)具備了月投6000片6英寸圓片的生產(chǎn)能力。 1998年1月,中國華大集成電路設計中心向國內(nèi)外用戶推出了熊貓2000系統(tǒng),這是我國自主開發(fā)的一套EDA系統(tǒng),可以滿足亞微米和深亞微米工藝需要,可處理規(guī)模達百萬門級,支持高層次設計。 1998年2月,韶光與群立在長沙簽訂LSI合資項目,投資額達2.4億元,合資建設大規(guī)模集成電路(LSI)微封裝,將形成封裝、測試集成電路5200萬塊的生產(chǎn)能力。 1998年2月28日,我國第一條8英寸硅單晶拋光片生產(chǎn)線建成投產(chǎn),這個項目是在北京有色金屬研究總院半導體材料國家工程研究中心進行的。 1998年3月16日,北京華虹集成電路設計有限責任公司與日本NEC株式會社在北京長城-飯店舉行北京華虹NEC集成電路設計公司合資合同簽字儀式,新成立的合資公司其設計能力為每年約200個集成電路品種,并為華虹NEC生產(chǎn)線每年提供8英寸硅片兩萬片的加工訂單。 1998年4月,集成電路“九0八”工程九個產(chǎn)品設計開發(fā)中心項目驗收授牌,這九個設計中心為信息產(chǎn)業(yè)部電子第十五研究所、信息產(chǎn)業(yè)部電子第五下四研究所、上海集成電路設計公司、深圳先科設計中心、杭州東方設計中心、廣東專用電路設計中心、兵器第二一四研究所、北京機械工業(yè)自動化研究所和航天工業(yè)771研究所。這些設計中心是與華晶六英寸生產(chǎn)線項目配套建設的。 1998年6月,上海華虹NEC九0九二期工程啟動。 1998年6月12日,深港超大規(guī)模集成電路項目一期工程――后工序生產(chǎn)線及設計中心在深圳賽意法微電子有限公司正式投產(chǎn),其集成電路封裝測試的年生產(chǎn)能力由原設計的3.18億塊提高到目前的7.3億塊,并將擴展的10億塊的水平。 1998年10月,華越集成電路引進的日本富士通設備和技術的生產(chǎn)線開始驗收試制投 片,-該生產(chǎn)線以雙極工藝為主、兼顧Bi-CMOS工藝、2微米技術水平、年投5英寸硅片15萬片、年產(chǎn)各類集成電路芯片1億只能力的前道工序生產(chǎn)線及動力配套系統(tǒng)。 1998年3月,由西安交通大學開元集團微電子科技有限公司自行設計開發(fā)的我國第一個-CMOS微型彩色攝像芯片開發(fā)成功,我國視覺芯片設計開發(fā)工作取得的一項可喜的成績。 1999年2月23日,上海華虹NEC電子有限公司建成試投片,工藝技術檔次從計劃中的0.5微米提升到了0.35微米,主導產(chǎn)品64M同步動態(tài)存儲器(S-DRAM)。這條生產(chǎn)線的建-成投產(chǎn)標志著我國從此有了自己的深亞微米超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線。

工信部:將加大對汽車半導體技術攻關,我國半導體技術都存在著哪些瓶頸?

瓶頸主要在制造和生產(chǎn)方面。因為我國在半導體設計領域內(nèi)有很強的儲備,但由于缺乏相關的生產(chǎn)設備,所以在制造上面的瓶頸依然很突出。

關于半導體產(chǎn)品推廣思路和半導體產(chǎn)品推廣思路圖的介紹到此就結束了,不知道你從中找到你需要的信息了嗎 ?如果你還想了解更多這方面的信息,記得收藏關注本站信途科技。

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